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992.
993.
994.
995.
提出了一种求解一维粗糙面与二维无限长临空目标复合电磁散射特性的新型混合算法。混合算法只需在粗糙面上进行一次积分运算,即可用基尔霍夫-亥姆霍兹方程(KH)描述电磁波经粗糙面后的散射情况,再用矩量法(MoM)分析目标的散射问题,通过KH与MoM的混合来体现粗糙面与目标之间的耦合作用。经与不同方法的对比,验证了混合方法的正确性,体现了混合方法较数值法在求解效率上的巨大优势。计算了粗糙面与临空目标的统计复合散射特性,分析了粗糙面的起伏参数、临空目标的形状以及粗糙面介质的电参数对复合散射特性的影响。 相似文献
996.
997.
后摩尔时代的封装技术 总被引:4,自引:2,他引:2
童志义 《电子工业专用设备》2010,39(6):1-8
介绍了在高性能的互连和高速互连芯片(如微处理器)封装方面发挥其巨大优势的TSV互连和3D堆叠的三维封装技术。采用系统级封装(SiP)嵌入无源和有源元件的技术,有助于动态实现高度的3D-SiP尺寸缩减。将多层芯片嵌入在内核基板的腔体中;采用硅的后端工艺将无源元件集成到硅衬底上,与有源元件芯片、MEMS芯片一起形成一个混合集成的器件平台。在追求具有更高性能的未来器件的过程中,业界最为关注的是采用硅通孔(TSV)技术的3D封装、堆叠式封装以及类似在3D上具有优势的技术,并且正悄悄在技术和市场上取得实实在在的进步。随着这些创新技术在更高系统集成中的应用,为系统提供更多的附加功能和特性,推动封装技术进入后摩尔时代。 相似文献
998.
介绍了在传统的摩尔定律发展速度受阻的形势下以及在封装技术的驱动下,特别是先进的TSV互连和3D堆叠三维封装技术创新的应用,"后摩尔定律"对半导体技术产业的发展产生了强大推动力。为了适应中段制程的来临,应对新兴封装技术的挑战,满足不同工艺阶段的封装需求,各封装工艺设备的性能也在不断地创新和提高,工艺被更多地物化在设备之中,涌现出了许多提供"总体解决方案"的封装工艺设备。最后对封装设备行业加强技术创新,实现跨越式发展提出了几点看法。 相似文献
999.
童志义 《电子工业专用设备》2010,39(9):1-8
概述了进入后摩尔时代的MEMS技术,通过TSV技术整合MEMS与CMOS制程,使得半导体与MEMS产业的发展由于技术的整合而出现新的商机。主要介绍了MEMS器件封装所面临的挑战及相应的封装设备。 相似文献
1000.